CREE碳化硅SiC MOSFET国产替代，英飞凌碳化硅SiC MOSFET国产替代，Wolfspeed碳化硅SiC MOSFET国产替代，英飞凌碳化硅MOSFET模块国产替代，飞凌混合SiC-IGBT单管国产替代，IMZA120R040M1H国产替代，IMW120R040M1H国产替代，IMW120R045M1国产替代，C3M0075120D国产替代，C3M0160120D国产替代，C3M0040120K国产替代，I型NPC1三电平IGBT模块，T型NPC2三电平IGBT模块
公司介绍
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大芯超导有限公司元器件专业分销商 BASiC基本半导体650V/1200V Hybrid IGBT 单管IGBT TO274-3和TO247-4 具备高速IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点，具备出色的开关速度和更低的开关损耗，TO-247 4 引脚封装具有一个额外的开尔文发射极连接。此 4 引脚也被称为开尔文发射极端子，绕过栅极控制回路上的发射极引线电感，从而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的开关速度并降低开关能量。主要规格有BGH50N65HF1（IKW50N65RH5国产替代，AIKW50N65RF5国产替代），BGH50N65HS1典型…
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